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                        雪崩能量測試儀

                        更新時間:2019-01-11

                        簡要描述:

                        雪崩能量測試儀系統主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A,電壓 4500V,雪崩能量可達2000J。

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                        半導體分立器件作為在電力電子行業中應用為廣泛的基礎元件,其性能表現對整個電子電路系統來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流,滿足一定的雪崩耐量。

                        雪崩能量測試儀測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器,并由示波器與工控機直接通訊,將采集數據傳輸給計算機,計算機將測試數據以EXCEL表格形式顯示并進行終的編輯和打印。

                         

                        HUSTEC2020 雪崩能量測試儀

                        功能指標:

                        配置

                        測試范圍

                        測試參數

                        條件

                        范圍

                        電壓
                        1000V 

                        IGBTs
                        絕緣柵雙極型晶體管 

                        EAS/單脈沖雪崩能量

                        VCE

                        20V~4500V

                        20~100V±3%±1V
                        100~1000V±3%±5V 
                        1000V~4500V±3%±10V

                        電流
                        200A

                        MOSFETs
                        MOS場效應管

                        EAR/重復脈沖雪崩能量 

                        Ic

                        1mA~200A

                        1mA~100mA±3%±0.1mA
                        100mA~2A±3%±5mA 
                        2A~200A±3%±50mA

                         

                        DIODEs
                        二極管

                        IAS/單脈沖雪崩電流

                        Ea

                        1J~2000J

                        1J~100J±3%±1J
                        100J~500J±3%±5J 
                        500J~2000J±3%±10J

                           

                        PAS/單脈沖雪崩功率

                        IC檢測

                        50mV/A(取決于傳感器)

                             

                        感性負載

                        10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 

                             

                        重復間隙時間 

                        1~60s可調(步進1s) 重復次數:1~50次

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